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聯電今（23）日宣布，公司自主研發的14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術，已成功進入客戶晶片量產階段。出貨給主要客戶的14奈米量產晶圓，良率已達先進製程的業界競爭水準，此製程將幫助客戶開拓嶄新的應用於電子產品。
聯電執行長顏博文表示，此次14奈米量產里程碑的達成，是聯電與客戶攜手努力的成果，象徵了已成功以合作模式，將先進技術導入市場。同時，公司與其他客戶的合作案也在順利進行中，將持續優化此製程，充分發揮14奈米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代矽晶片於網路、人工智慧和各類消費產品等各領域的應用。
聯電指出，其14奈米 FinFET製經典程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28奈米增快55%，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28奈米減少約50%。此14奈米客戶晶片現正於聯電台南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14奈米產能。
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一名20歲中國大陸籍韓姓女子與父母跟團來台旅遊，今(9)日中午搭遊覽車前往花蓮太魯閣燕子口觀景，韓女疑因不滿父親拍下她在遊覽車上熟睡的照片並上傳到微信家族群組，一時負氣竟直接脫隊，獨自從燕子口旁的小徑向上攀爬後失聯，警消及太管處人員獲報展開搜尋，在傍晚6時許找到韓女。
今日中午12時許，一行約20名陸客的旅遊團搭乘遊覽車前往太魯閣燕子口，其中一名20歲的韓姓女子因搭車時都在睡覺，被父親拍下在車上熟睡的照片，並發送到微信家族群組，韓女覺得丟臉因而與父親產生爭執。
旅遊團抵達燕子口步道後，韓女又疑似與母親產生口角，竟逕自脫隊，往燕子口旁的山徑攀爬。韓女母親雖極力勸說，但仍攔不住女兒，只好找來先跟著導遊前往賞景的韓父。但等2人回到原地時已不見韓女蹤影，急忙通知導遊報警處理。
警消人員與太管處人員獲報展開搜尋，逾20名搜尋人員擴大搜尋範圍，直到晚間近7時，搜尋人員在錐麓斷崖停車處南岸稜線下方附近的峭壁聽見韓女微弱的呼叫聲，所幸韓女意識清楚。
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